ダイアモンドアンビルセル高圧発生装置
ブリリアンカットしたダイアの先端を平坦に加工した面で試料を挟み超高圧を発生させる．赤外レーザーと組み合わせることで数万気圧・数千℃の圧力温度条件で物質合成が可能．
大型プレス高圧発生装置(250t)
DACに比べて大容量の試料合成が可能．８GPa, 1200℃の圧力・温度範囲で合成実験が可能．
大型プレス高圧発生装置(350t)
250tプレスと実験条件（8 GPa，1200 ℃）は同じであるが，より大容量の試料体積を確保できる．
ピストンシリンダー型高圧発生装置
3 GPaまでの圧力条件で大容量試料の合成が可能．
赤外レーザー加熱システム
ダイアモンドアンビルセルで加圧した試料に赤外レーザーを照射することで高温状態が実現可能．現在ファイバーレーザー（λ=1.07 μm）と炭酸ガスレーザー（λ=10.6 μm）を所有．
マッフル炉
大気中1000 ℃まで条件で物質合成が可能．
縦型管状炉
1500℃までの範囲で物質合成および単結晶育成が可能．雰囲気制御も可能．
横型管状炉
1200 ℃までの範囲で雰囲気制御しながら物質合成が可能.
アーク溶解炉
合金などの作製が可能.
